开户即送58体验金不限id

欢迎来到沈阳硅基科技有限下载app送18体验金官网
栏目内容

硅-硅键合片

当外延层厚度大于50um,硅-硅键合片具有更好的成本优势。 


对于高压器件,例如MOSFET和IGBT来说,是可行的替代材料。


良好的TEM和SRP测试结果,确保硅-硅键合片的质量。